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內(nèi)存顆粒是關(guān)鍵從細(xì)節(jié)入手挑選極品內(nèi)存

分類(lèi)：硬件問(wèn)題 瀏覽：103 更新時(shí)間：1970-01-01
對(duì)于目前大部分的內(nèi)存條而言，很多產(chǎn)品的內(nèi)存顆粒都已經(jīng)被內(nèi)存廠商打磨過(guò)，我們也很難一眼從表面就看出其采用的是到底是哪一家的顆粒。眾所周知，內(nèi)存顆粒的質(zhì)量是影響內(nèi)存性能最重要的因素。諸如玩家所追捧的鎂光D9顆粒，由于其
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內(nèi)存電路板詳解

分類(lèi)：硬件問(wèn)題 瀏覽：10 更新時(shí)間：1970-01-01
我們要制作一件電子產(chǎn)品，通常是先設(shè)計(jì)電路原理圖。在電路原理圖上，用各種特定的符號(hào)代表不同的電子元器件，并把它們用線連接起來(lái)。一個(gè)電子工程師可以通過(guò)這些符號(hào)和連線清楚地看出電路工作原理和各個(gè)各部分的
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內(nèi)存電路板詳解

分類(lèi)：硬件問(wèn)題 瀏覽：92 更新時(shí)間：1970-01-01
我們要制作一件電子產(chǎn)品，通常是先設(shè)計(jì)電路原理圖。在電路原理圖上，用各種特定的符號(hào)代表不同的電子元器件，并把它們用線連接起來(lái)。一個(gè)電子工程師可以通過(guò)這些符號(hào)和連線清楚地看出電路工作原理和各個(gè)各部分的
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內(nèi)存的幾個(gè)常見(jiàn)疑問(wèn)

分類(lèi)：硬件問(wèn)題 瀏覽：10 更新時(shí)間：1970-01-01
1.內(nèi)存的單面與雙面，單Bank與雙Bank的區(qū)別？　　單面內(nèi)存與雙面內(nèi)存的區(qū)別在于單面內(nèi)存的內(nèi)存芯片都在同一面上，而雙面內(nèi)存的內(nèi)存芯片分布在兩面。而單Bank與雙Bank的區(qū)別就不同了。Bank從物理上理解為北橋芯
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內(nèi)存的幾個(gè)常見(jiàn)疑問(wèn)

分類(lèi)：硬件問(wèn)題 瀏覽：54 更新時(shí)間：1970-01-01
1.內(nèi)存的單面與雙面，單Bank與雙Bank的區(qū)別？　　單面內(nèi)存與雙面內(nèi)存的區(qū)別在于單面內(nèi)存的內(nèi)存芯片都在同一面上，而雙面內(nèi)存的內(nèi)存芯片分布在兩面。而單Bank與雙Bank的區(qū)別就不同了。Bank從物理上理解為北橋芯
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內(nèi)存延遲是什么及表示方法介紹

分類(lèi)：硬件問(wèn)題 瀏覽：10 更新時(shí)間：1970-01-01
內(nèi)存延遲是指等待對(duì)系統(tǒng)內(nèi)存中存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的訪問(wèn)完成時(shí)引起的延期，內(nèi)存延遲表示系統(tǒng)進(jìn)入數(shù)據(jù)存取操作就緒狀態(tài)前等待內(nèi)存響應(yīng)的時(shí)間，詳細(xì)請(qǐng)閱讀本文
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內(nèi)存延遲是什么及表示方法介紹

分類(lèi)：硬件問(wèn)題 瀏覽：116 更新時(shí)間：1970-01-01
內(nèi)存延遲是指等待對(duì)系統(tǒng)內(nèi)存中存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的訪問(wèn)完成時(shí)引起的延期，內(nèi)存延遲表示系統(tǒng)進(jìn)入數(shù)據(jù)存取操作就緒狀態(tài)前等待內(nèi)存響應(yīng)的時(shí)間，詳細(xì)請(qǐng)閱讀本文
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內(nèi)存越大，電腦速度越快？這個(gè)說(shuō)法正確嗎

分類(lèi)：硬件問(wèn)題 瀏覽：10 更新時(shí)間：1970-01-01
內(nèi)存越大，機(jī)器越快？我想大多數(shù)人的回答都是肯定，從512MB到1GB的提升很明顯，所以想當(dāng)然，從1GB到2GB提升也會(huì)很明顯吧。但是我用親身經(jīng)歷告訴你，大內(nèi)存或許比小內(nèi)存還要慢，當(dāng)然，前提是你什么都不設(shè)置
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