內(nèi)存參數(shù)優(yōu)化寶典

　　去年炒得沸沸揚(yáng)揚(yáng)的PAT技術(shù)實(shí)際上就是種內(nèi)存加速技術(shù)，Intel通過(guò)在北橋芯片中設(shè)置“Bypass Patch”(旁路)讓處理器對(duì)內(nèi)存的數(shù)據(jù)訪問(wèn)請(qǐng)求少一個(gè)時(shí)鐘周期，另外又通過(guò)構(gòu)建“Optimized Patch"(優(yōu)化路徑)讓內(nèi)存控制器對(duì)內(nèi)存芯片的顆粒和BamK選擇時(shí)間上減少一個(gè)周期。這樣一來(lái)二去，CPU在內(nèi)存數(shù)據(jù)讀取上減少了兩個(gè)時(shí)鐘周期，就達(dá)到了提高PC性能的目的。

　　PAT技術(shù)的實(shí)現(xiàn)對(duì)內(nèi)存的品質(zhì)有一定的要求，而許多主板廠商通過(guò)觸類旁通的自行設(shè)計(jì)，在I865平臺(tái)上同樣也實(shí)現(xiàn)了原本專屬I875P的PAT功能——只是更換了稱法而已。

　　不管怎么說(shuō)，優(yōu)化內(nèi)存的延遲參數(shù)對(duì)PC性能的提高有很大幫助是顯而易見(jiàn)的，所以，我們不妨對(duì)這方面的知識(shí)了解得更深入一些。

　　一、了解內(nèi)存延遲參數(shù)

　　Intel平臺(tái)和AMD平臺(tái)的內(nèi)存延遲參數(shù)其實(shí)都差不多，其中最常見(jiàn)的幾項(xiàng)為CAS(CL)、tRCD、tRP 、tRAS，如圖1。這其中大多數(shù)是沿用JEDEC的內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)而來(lái)，但tRAS這個(gè)參數(shù)卻頗有爭(zhēng)議，JEDEC的DDR內(nèi)存相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)中并沒(méi)有把它列為必須的性能參數(shù)，甚至有觀點(diǎn)認(rèn)為這一參數(shù)純粹是某些主板廠商炒作出來(lái)的。

　　以上參數(shù)往往在主板的BIOS中可以調(diào)整，一般來(lái)說(shuō)設(shè)置值都是越小越好，但對(duì)內(nèi)存顆粒的品質(zhì)也相對(duì)越來(lái)越高。由于不明就里，許多用戶都不敢貿(mào)然進(jìn)行調(diào)整；為釋疑解惑，下面我們就對(duì)各項(xiàng)參數(shù)逐一加以解釋。

　　1.CAS(CL)：

　　內(nèi)存讀寫(xiě)操作前列地址控制器的潛伏時(shí)間。這個(gè)參數(shù)很重要，內(nèi)存條上一般都有這個(gè)參數(shù)標(biāo)記。在BIOS設(shè)置中DDR內(nèi)存的CAS參數(shù)選項(xiàng)通常有“1.5”、“2”、“2.5”、“3”幾種選擇，SDRAM則只有“2”、“3”兩個(gè)選項(xiàng)。較低的CAS周期能減少內(nèi)存的潛伏周期以提高內(nèi)存的工作效率。因此只要能夠穩(wěn)定運(yùn)行操作系統(tǒng)，我們應(yīng)當(dāng)盡量把CAS參數(shù)調(diào)低。

　　2.tRCD(RAS To CAS Delay)：

　　內(nèi)存行地址控制器到列地址控制器的延遲時(shí)間，參數(shù)選項(xiàng)有2和3這兩個(gè)選擇，同樣是越小越好。

　　3.tRP(RAS Precharge Time)：

　　內(nèi)存行地址控制器預(yù)充電時(shí)間，參數(shù)選項(xiàng)有2和3這兩個(gè)選擇，預(yù)充電參數(shù)越小則內(nèi)存讀寫(xiě)速度就越快。

　　4.tRAS(RAS Active Time)：

　　內(nèi)存行有效至預(yù)充電的最短周期，一般我們可選的參數(shù)選項(xiàng)有5，6或者7這3個(gè)，但是在一些nForce 2 主板上的選擇范圍卻很大，最高可到 15，最低達(dá)到 1。調(diào)整這個(gè)參數(shù)需要結(jié)合具體情況而定，一般我們最好設(shè)在5－11之間。
　　二、了解內(nèi)存交錯(cuò)技術(shù)

　　內(nèi)存交錯(cuò)技術(shù)(Bank Interleave)也是用來(lái)提高內(nèi)存性能的一種技術(shù)，它使內(nèi)存各個(gè)面的刷新時(shí)鐘信號(hào)與讀寫(xiě)時(shí)鐘信號(hào)能夠交錯(cuò)出現(xiàn)，實(shí)現(xiàn)CPU在刷新一個(gè)內(nèi)存面的同時(shí)對(duì)另一個(gè)內(nèi)存面進(jìn)行讀寫(xiě)，這樣就不必花費(fèi)專門的時(shí)間來(lái)對(duì)各個(gè)內(nèi)存面進(jìn)行刷新。在CPU即將訪問(wèn)的一串內(nèi)存地址分別位于不同內(nèi)存面的情況下，內(nèi)存面交錯(cuò)使CPU能夠?qū)崿F(xiàn)在向后一個(gè)內(nèi)存面發(fā)送地址的同時(shí)從前一個(gè)內(nèi)存面接收數(shù)據(jù)，從而產(chǎn)生一種流水線操作的效果，更大限度地發(fā)揮內(nèi)存的理論帶寬。因此，有人甚至認(rèn)為啟用內(nèi)存交錯(cuò)對(duì)于系統(tǒng)性能的提高比將內(nèi)存CAS延遲時(shí)間從3改成2還要大。

　　實(shí)際Intel和VIA都支持內(nèi)存交錯(cuò)技術(shù)，主要模式有2路交錯(cuò)(2-Bank )和4路交錯(cuò)(4-Bank)兩種；不過(guò)出于對(duì)系統(tǒng)的穩(wěn)定性考慮，很多支持該技術(shù)的主板在默認(rèn)情況下都關(guān)閉了內(nèi)存交錯(cuò)技術(shù)，或最多開(kāi)啟2路內(nèi)存交錯(cuò)模式——雖然4路交錯(cuò)可以帶來(lái)更大的性能提升。下表即為國(guó)外一位網(wǎng)友在EP-MVP3G2（VIA MVP3平臺(tái)）主板上使用K6-2 500MHz所作的測(cè)試結(jié)果對(duì)比：

　　通過(guò)升級(jí)BIOS，VIA 694X以上芯片組都有機(jī)會(huì)開(kāi)啟內(nèi)存交錯(cuò)設(shè)置項(xiàng)；即便BIOS不支持，也可以通過(guò)WPCREdit等專用軟件來(lái)修改北橋芯片的寄存器，從而打開(kāi)內(nèi)存交錯(cuò)模式。直接支持內(nèi)存交錯(cuò)設(shè)置的主板以KT400/400A、P4X400居多。以威盛的P4PB 400主板為例，進(jìn)入BIOS后在“Frequency/Voltage Control”中找到“Bank Interleave”一項(xiàng)，就有“Disable”、“2 Bank”、“4 Bank”等三種模式可選。

　　三、掌握內(nèi)存異步調(diào)節(jié)

　　在內(nèi)存同步工作模式下，內(nèi)存的運(yùn)行速度與CPU外頻相同。內(nèi)存異步則是指兩者的工作頻率可存在一定差異。該技術(shù)可令內(nèi)存工作在高出或低于系統(tǒng)總線速度33MHz的情況下(也有采用3:4、4:5的倍頻模式的)。

　　有了這一招我們不僅可以讓“老”內(nèi)存發(fā)揮余熱，更重要的是可以充分挖掘內(nèi)存的潛力及獲得更寬泛的超頻空間。Intel的810～875系列芯片組和威盛的693以后的產(chǎn)品，都支持內(nèi)存異步。

　　以典型的VIA KT333主板為例，進(jìn)入BIOS后找到“DRAM Clock(內(nèi)存時(shí)鐘頻率)”選項(xiàng)，即有“Host Clock(總線頻率和內(nèi)存工作頻率同步)、Hclk-33MHz(總線頻率減33MHz)、Hclk 33MHz（總線頻率 33MHz）”等三種模式可選。

　　四、用實(shí)例說(shuō)話

　　上面介紹了那么多有關(guān)于內(nèi)存優(yōu)化的知識(shí)，大家肯定最想看到的還是實(shí)際的例證。OK，筆者做了一個(gè)簡(jiǎn)單的測(cè)試。測(cè)試平臺(tái)：Athlon XP1800 (未超頻)、Apacer DDR333 512MB、GeForce4 Ti4200、VIA KT333主板，測(cè)試游戲?yàn)榻?jīng)典的Quake3 Arena。測(cè)試結(jié)果如下：

　　從以上的測(cè)試數(shù)據(jù)對(duì)比可以看到，優(yōu)化內(nèi)存設(shè)置對(duì)FPS游戲幀速度的提高不無(wú)小補(bǔ)，平均幅度達(dá)到4％－5％。

　　五、觀點(diǎn)：

　　相較其他內(nèi)存優(yōu)化技術(shù)，內(nèi)存異步調(diào)節(jié)的穩(wěn)定性要好得多，建議大家多根據(jù)所用內(nèi)存的規(guī)格充分應(yīng)用之。當(dāng)內(nèi)存參數(shù)設(shè)定過(guò)高或超頻導(dǎo)致系統(tǒng)不穩(wěn)定時(shí)，適當(dāng)?shù)卦黾觾?nèi)存電壓可以提高系統(tǒng)穩(wěn)定性（需主板支持），增加內(nèi)存電壓幅度最好不要超過(guò)0.3V。